半導體顯微鏡觀測材料、礦物、生物樣品、器件透射電子顯微象及電子衍射圖，對樣品微觀組織、結(jié)構(gòu)、缺陷等定性、定量分析。可對樣品在加熱、拉伸、電子輻照等條件下微觀組織的變化過程進行動態(tài)觀測。與普通電子顯微鏡相比較，它可以進行微觀過程的動態(tài)實驗觀察、輻照效應(yīng)研究、厚試樣和粗大析出物的觀察分析以及半導體微器件結(jié)構(gòu)研究。
半導體顯微鏡的性能特點：
1、長壽命/高亮度/低色差CeB6燈絲。
2、表面細節(jié)豐富的高質(zhì)量圖片。
3、內(nèi)置彩色光學顯微鏡。
4、自動馬達樣品臺。
5、30秒快速成像，操作簡單。
6、光學與低倍電子雙重導航。
7、防震設(shè)計，對放置環(huán)境無牛條殊要求。
8、樣品倉低真空技術(shù)，直接觀測絕緣體，需噴金。
9、四分割高靈敏度背散射電子探頭，兼得樣品表面形貌與成份信息。
半導體顯微鏡快速切換物鏡，提高檢查速度電動物鏡轉(zhuǎn)換器的切換速度比原來提高了20%。物鏡的切換，可以操作按鈕瞬間完成，提高了檢查速度。三種潔凈類型的物鏡轉(zhuǎn)換器可以按需選擇。另外，UIS2物鏡大幅度地提高了高倍率的偏心精度。即便是有小尺寸攝像元件的CCD攝像機，在切換倍率時也不會由視場中心附近偏離。
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